Hệ số seebeck là gì? Các bài nghiên cứu khoa học liên quan

Hệ số Seebeck là đại lượng đặc trưng cho khả năng sinh hiệu điện thế giữa hai đầu vật liệu khi có chênh lệch nhiệt độ, được định nghĩa S=ΔV/ΔT. Đơn vị chuẩn của hệ số Seebeck là V/K (thường biểu diễn µV/K), phản ánh tiềm năng vật liệu trong công nghệ nhiệt điện thu hồi nhiệt và cảm biến nhiệt độ.

Giới thiệu chung về hệ số Seebeck

Hệ số Seebeck là đại lượng đặc trưng cho khả năng một vật liệu tạo ra hiệu điện thế khi hai đầu chịu chênh lệch nhiệt độ. Được phát hiện và đặt tên theo nhà vật lý người Đức Thomas Johann Seebeck vào năm 1821, hiệu ứng Seebeck là nền tảng cho công nghệ chuyển đổi nhiệt năng thành điện năng, gọi chung là nhiệt điện.

Hiệu ứng này xuất hiện rộng rãi trong các vật liệu dẫn điện và bán dẫn, khi electron hoặc lỗ trống dịch chuyển từ vùng nóng sang vùng lạnh, tạo ra sự phân bố điện tích không đồng đều. Hiệu suất chuyển đổi và ứng dụng thực tiễn phụ thuộc chặt chẽ vào giá trị hệ số Seebeck của vật liệu, ảnh hưởng trực tiếp đến thiết kế pin nhiệt điện và cảm biến nhiệt độ.

Ở cấp độ ứng dụng, hệ số Seebeck cho phép đánh giá tiềm năng thu hồi nhiệt thải công nghiệp, tái chế năng lượng trong ô tô và thiết kế thiết bị cảm biến không cần nguồn nuôi. Các nghiên cứu hiện đại khai thác cấu trúc nano, hợp chất lai và vật liệu oxide để nâng cao hệ số Seebeck, đồng thời giảm độ dẫn nhiệt, hướng đến cải thiện hệ số hiệu suất ZT.

Định nghĩa và đơn vị

Hệ số Seebeck S được định nghĩa là tỉ số giữa hiệu điện thế ΔV xuất hiện và chênh lệch nhiệt độ ΔT giữa hai đầu vật liệu:

S=ΔVΔTS = \dfrac{\Delta V}{\Delta T}

Đơn vị cơ bản của S là volt trên kelvin (V/K), thường biểu diễn ở miền vi hoặc micro volt mỗi kelvin (µV/K) do giá trị vật liệu thường rất nhỏ. Trong thực nghiệm, một số nghiên cứu còn dùng đơn vị mV/K để thuận tiện so sánh vật liệu bán dẫn nhiệt điện.

  • Volt trên kelvin (V/K): đơn vị SI chuẩn.
  • Microvolt trên kelvin (µV/K): thường dùng cho kim loại và hợp kim.
  • Millivolt trên kelvin (mV/K): hay gặp ở các vật liệu nhiệt điện hiệu suất cao.

Nguyên lý vật lý

Hiệu ứng Seebeck phát sinh do chuyển động không đối xứng của hạt tải điện (electron hoặc lỗ trống) khi có gradient nhiệt. Ở vùng nóng, phân tử nhận năng lượng, tăng động năng, dễ vượt rào năng lượng và di chuyển sang bên lạnh, gây chênh lệch mật độ hạt tải.

Mô hình kinh điển cho bán dẫn dẫn xuất công thức:

S=kBq(EμkBT)S = \frac{k_B}{q}\Bigl(\frac{\langle E - \mu\rangle}{k_B T}\Bigr)

Trong đó kB là hằng số Boltzmann, q điện tích hạt tải, μ thế hóa học và ⟨E⟩ năng lượng trung bình. Công thức thể hiện mối liên hệ giữa phân bố năng lượng hạt và khả năng sinh điện thế, đặc biệt quan trọng khi nghiên cứu hiệu ứng lượng tử trong cấu trúc nano.

  • kB (1.38×10−23 J/K): hằng số Boltzmann.
  • q (1.6×10−19 C): điện tích electron.
  • μ: thế hóa học hạt tải, phụ thuộc nồng độ tạp chất.
  • ⟨E⟩: năng lượng trung bình của hạt tải tại nhiệt độ T.

Phân loại vật liệu và giá trị Seebeck

Kim loại thường có hệ số Seebeck thấp, dao động trong khoảng 1–10 µV/K do mật độ electron tự do cao khiến phân bố năng lượng hạt gần nhau, ít tạo được chênh lệch điện thế lớn. Ví dụ bạc, đồng, nhôm đều có S dưới 5 µV/K ở 300 K.

Bán dẫn nguyên khối hoặc pha tạp chất cho giá trị S cao hơn nhiều, từ 100–1000 µV/K, phụ thuộc mức độ doping và nhiệt độ hoạt động. Các bán dẫn nhiệt điện cổ điển như Bi2Te3, PbTe, SiGe có S khoảng 200–300 µV/K ở nhiệt độ phòng, lý tưởng cho pin nhiệt điện ứng dụng.

Vật liệu mới như oxide, hợp chất half-Heusler, và cấu trúc nano siêu mỏng cho thấy S có thể vượt 400 µV/K nhờ hiệu ứng lượng tử và chặn phonon. Thiết kế đa lớp (graded materials) kết hợp nhiều thành phần cũng giúp tối ưu S đồng thời giảm độ dẫn nhiệt.

Vật liệuLoạiGiá trị S (µV/K at 300 K)
Đồng (Cu)Kim loại~1.7
Bi2Te3Bán dẫn~230
PbTeBán dẫn~250
SiGeBán dẫn~200
Ngoại vi nano Bi nanowireNano~400

Phương pháp đo và xác định hệ số Seebeck

Đo hệ số Seebeck thường được thực hiện trong các phòng thí nghiệm sử dụng một hệ thống đo áp suất nhiệt độ chính xác. Mẫu vật liệu được đặt giữa hai khối nhiệt độ khác nhau, thường là 300 K và 310 K, rồi đo áp điện thế phát sinh ΔV bằng máy đo vôn kế độ chính xác cao.

Phương pháp hai đầu đo (two-probe) là cách đơn giản nhất: hai điện cực tiếp xúc trực tiếp với mẫu, đo ΔV khi tạo ΔT. Nhược điểm là dễ bị sai số do điện trở tiếp xúc và nhiệt đối lưu.

  • Phương pháp bốn đầu đo (four-probe): Giảm sai số tiếp xúc bằng hai điện cực cấp dòng và hai điện cực đo điện áp riêng biệt.
  • Hệ thống đo tự động: Thiết bị như ZEM-3 (Advance Riko) cho phép đo đồng thời S, độ dẫn điện (σ) và độ dẫn nhiệt (κ) theo tiêu chuẩn ASTM E 1499.

Đường cong Seebeck S(T) thu được từ loạt phép đo ở nhiều nhiệt độ cho phép đánh giá tính ổn định và phụ thuộc nhiệt độ của vật liệu. Dữ liệu này cũng được dùng để tính hệ số hiệu suất nhiệt điện ZT theo công thức:

ZT=S2σTκZT = \frac{S^2 \sigma T}{\kappa}

Ứng dụng trong pin nhiệt điện

Pin nhiệt điện (thermoelectric generator – TEG) khai thác hiệu ứng Seebeck để chuyển đổi nhiệt dư thải thành điện năng. Các module TEG thường làm bằng Bi2Te3 ở nhiệt độ phòng và PbTe, SiGe cho nhiệt độ cao đến 800 K.

Trong công nghiệp, TEG gắn vào ống xả lò hơi, động cơ diesel, thu hồi đến 5–8% năng lượng nhiệt thải, giảm tiêu hao nhiên liệu và phát thải CO2 (NREL – Thermoelectrics).

  • Ô tô: Lắp TEG trên ống xả, cung cấp điện cho hệ thống phụ trợ, giảm tải máy phát.
  • Cảm biến nhiệt độ: Cảm biến không cần nguồn ngoài, ứng dụng trong không gian vũ trụ và môi trường khắc nghiệt.
  • Thiết bị đeo: Sử dụng chênh nhiệt độ cơ thể – môi trường để cấp điện cho cảm biến y sinh.

Các yếu tố ảnh hưởng đến hệ số Seebeck

Nhiệt độ là yếu tố quan trọng: S thường tăng khi T tăng đến một giá trị tối ưu, sau đó giảm do truyền nhiệt phonon và tương tác electron-photon mạnh hơn.

Độ pha loãng tạp chất (doping) điều chỉnh mật độ hạt tải, ảnh hưởng ngược chiều lên S và độ dẫn điện σ. Mật độ thấp cho S lớn nhưng σ nhỏ, và ngược lại, đòi hỏi cân bằng để tối ưu ZT.

Yếu tốẢnh hưởng lên SẢnh hưởng lên σ
Nhiệt độ T+
Nồng độ tạp chất– (quá cao)+
Kích thước hạt nano+– (tăng tán xạ)

Cấu trúc vật liệu như nano hạt, lớp mỏng và siêu cấu trúc tạo ra hiệu ứng lượng tử, cải thiện S bằng điều chỉnh mật độ trạng thái electron và giảm truyền nhiệt phonon.

Tối ưu hóa vật liệu nhiệt điện

Nghiên cứu tập trung vào đồng thời tăng S và giảm độ dẫn nhiệt κ để nâng cao ZT. Các chiến lược phổ biến gồm:

  • Doping chọn lọc: Thêm nguyên tố n-type (Bi, Sb) hoặc p-type (Pb, Na) để điều chỉnh thế hóa học và mật độ hạt.
  • Cấu trúc nano: Tạo hạt nano, sợi nano để tăng tán xạ phonon, giảm κ nhưng giữ σ ổn định.
  • Siêu cấu trúc: Kết hợp nhiều lớp mỏng với độ dày vài nanomet, tạo rào cản phonon và duy trì truyền electron.

Các vật liệu half-Heusler, chalcopyrite và oxit strontium titanate (SrTiO3) cho thấy ZT > 1 ở nhiệt độ cao, hứa hẹn ứng dụng trong thu hồi nhiệt công nghiệp.

Xu hướng nghiên cứu và phát triển

Công nghệ mô phỏng ab initio (DFT) kết hợp machine learning giúp dự báo S và ZT trên hàng nghìn cấu trúc tinh thể, rút ngắn thời gian tìm kiếm vật liệu mới (ScienceDirect – ML for Thermoelectrics).

Phát triển pin nhiệt điện mỏng, linh hoạt sử dụng polymer dẫn điện và hybrid perovskite cho thiết bị đeo (wearable), ứng dụng trong y tế và Internet of Things.

  • Graded materials: thay đổi thành phần theo chiều dày để tối ưu S và giảm mất mát nhiệt.
  • Thermoelectric metamaterials: thiết kế siêu cấu trúc nhân tạo để đạt S cực đại theo hướng định hướng.

Tài liệu tham khảo

  • Seebeck T. J., “Magnetischer Polarisation der Metalle und Erze durch Temperatur-Differenz,” Abhandlungen der Preußischen Akademie der Wissenschaften, 1821.
  • Goldsmid H. J., “Introduction to Thermoelectricity,” Springer, 2010.
  • ASTM International. “E1499-19 Standard Test Method for Determining Thermoelectric Figure-of-Merit,” astm.org
  • National Renewable Energy Laboratory. “Thermoelectric Research,” nrel.gov
  • Jain A. et al., “Machine Learning Predictions of Thermoelectric Properties,” MRS Commun. 2020;10(4):543–550.
  • Rowe D. M. (ed.), “Thermoelectrics Handbook: Macro to Nano,” CRC Press, 2006.

Các bài báo, nghiên cứu, công bố khoa học về chủ đề hệ số seebeck:

Seebeck coefficient in SiC/Si heterojunction for self-powered thermal sensor
Springer Science and Business Media LLC - - 2021
Development of new materials with high thermoelectric coefficient will expand the capability of thermoelectric sensors. In this work, we investigate the thermoelectric properties of silicon carbide (SiC) on silicon (Si) heterojunction towards self-powered temperature sensing applications. A SiC/Si heterojunction device was designed and fabricated to measure the Seebeck coefficient. The device show...... hiện toàn bộ
#Silicon Carbide #Seebeck coefficient #heterojunction #self-powered thermal sensors
Ab initio investigation of the role of vanadium impurity states in SrTiO3 for thermoelectricity
Journal of Physics and Chemistry of Solids - Tập 138 - Trang 109180 - 2020
Despite their low cost, non-toxicity, thermal/chemical stability and relative abundance, oxides are not considered as promising materials for future thermoelectric devices. The main reason behind this lack of interest is their relatively high thermal conductivity. However, some oxides, such as n doped bulk SrTiO3 exhibit a rather good power factor. Keeping in mind that alloying and nanostructuring...... hiện toàn bộ
#thermoelectricity #Thermoelectric power factor #Resonant states #Seebeck coefficient #Oxides #SrTiO3 #ab initio electronic transport
Hiện tượng vận chuyển trong các hợp chất lớp nhiễu xạ MeBi4Te7 (Me = Ge, Pb, Sn) Dịch bởi AI
Semiconductors - Tập 46 - Trang 1256-1262 - 2012
Các hệ số vận chuyển (hệ số Nernst-Ettingshausen Q123, độ dẫn điện σ11, độ dẫn nhiệt κii, các hệ số Seebeck S11 và S33, và hệ số Hall R213) trong các mẫu hợp chất lớp của chuỗi đồng đẳng AIVBVI-A2VB3VI (AIV = Ge, Sn, Pb; AV = Bi, Sb; BVI = Te), cụ thể là SnBi4Te7 và PbBi4Te7 (có độ dẫn loại n), đã được nghiên cứu thực nghiệm trong khoảng nhiệt độ 77–400 K. Các tinh thể được lớn lên bằng phương phá...... hiện toàn bộ
#hệ số vận chuyển #Nernst-Ettingshausen #độ dẫn điện #độ dẫn nhiệt #hệ số Seebeck #hệ số Hall #hợp chất lớp #điện tử #ion tạp chất #đặc trưng điện và nhiệt
Wittichenite Cu3BiS3: Tổng hợp và Tính chất Vật lý Dịch bởi AI
Journal of Electronic Materials - Tập 47 - Trang 2374-2377 - 2018
Cu3BiS3 polycrystalline đã được tổng hợp và làm đặc bằng phương pháp ép nóng nhằm điều tra các tính chất vật lý của vật liệu này. Cả độ dẫn nhiệt và hệ số Seebeck của Cu3BiS3 được báo cáo lần đầu tiên để nghiên cứu các tính chất nhiệt điện của vật liệu này. Độ dẫn nhiệt cực thấp kết hợp với hệ số Seebeck tương đối cao, lần lượt là 0,17 W/m-K và 540 μV/K ở nhiệt độ phòng, gợi ý rằng Cu3BiS3 có thể ...... hiện toàn bộ
#Cu3BiS3 #tính chất nhiệt điện #dẫn nhiệt #hệ số Seebeck
Ứng dụng của các Hiệu ứng Nhiệt điện Ngang Dịch bởi AI
Journal of Electronic Materials - Tập 40 - Trang 1254-1259 - 2010
Hầu hết các ứng dụng nhiệt điện đều sử dụng các hiệu ứng Seebeck và Peltier theo chiều dọc. Tuy nhiên, có thể tạo ra các hiệu ứng nhiệt điện mà trong đó dòng điện và dòng nhiệt vuông góc với nhau. Điều này mang lại một số lợi thế thực tiễn; ví dụ, nó cho phép hiện thực hóa tủ lạnh nhiều tầng vô hạn bằng cách sử dụng một mảnh vật liệu duy nhất. Những lợi ích của việc tách biệt các hướng của dòng đi...... hiện toàn bộ
#Nhiệt điện ngang #hiệu ứng Seebeck #hiệu ứng Peltier #hệ số Seebeck #chỉ số phẩm chất #vật liệu tổng hợp
Properties of thin film thermoelectric materials: application to sensors using the Seebeck effect
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology - Tập 13 - Trang 103-111 - 1992
Điều trị sau môi trường thân thiện của phim PEDOT-Tos bằng dung dịch vitamin C trong nước để điều chỉnh các đặc tính nhiệt điện Dịch bởi AI
Journal of Electronic Materials - Tập 47 - Trang 3963-3968 - 2018
Dung dịch vitamin C trong nước đã được sử dụng như một tác nhân giảm môi trường thân thiện để điều chỉnh các đặc tính nhiệt điện của phim poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT-Tos) doped với p-toluenesulfonate. Việc khử doping các phim PEDOT-Tos bằng dung dịch vitamin C trong nước dẫn đến việc giảm độ dẫn điện của các phim. Các quang phổ quang học hồng ngoại gần và quang phổ điện tử phản hồi tia...... hiện toàn bộ
#vitamin C #PEDOT-Tos #phim nhiệt điện #độ dẫn điện #hệ số Seebeck #chỉ số chất lượng
A heat flux sensor leveraging the transverse Seebeck effect in elemental antimony
Sensors and Actuators A: Physical - Tập 363 - Trang 114729 - 2023
Direct Measurement of the Absolute Seebeck Coefficient for Pb and Cu at 300 K to 450 K
Springer Science and Business Media LLC - Tập 1267 - Trang 1-6 - 2010
The utilization of thermal fluctuations or Johnson/Nyquist noise as a spectroscopic technique to experimentally measure transport properties is applied to Pb and Cu metal films. Through cross-correlation and autocorrelation functions obtained from power spectral density measurements, multiple transport coefficients are obtained through the Green-Kubo formalism. Supported rigorously by the underlyi...... hiện toàn bộ
Thermal sensors based on the seebeck effect
Sensors and Actuators - Tập 10 - Trang 321 - 1986
The thermoelectric effects in metals and semiconductors are reviewed and particular attention is devoted to the Seebeck effect in silicon and its possible exploitation for thermal sensing. For this purpose, an analysis of the performance of integrated silicon thermopiles is presented. Several thermal sensors that measure magnetic, mechanical, radiation and chemical signals, as well as electrical c...... hiện toàn bộ
Tổng số: 16   
  • 1
  • 2